반도체소자·공정·재료 기술로드맵 및 고객 요구성능을 이해하고, 소자제조 공정·장비응용을 위한 광학재료를 연구·개발하여 반도체소자의 미세화 및 고집적화를 지원한다.
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EUV 공정 도입 확대와 반도체 소재 국산화 정책으로 인해 광학재료 개발 연구원의 수요는 중장기적으로 증가할 전망이다.[1] 반도체 기술 로드맵 2025에 따르면 2040년 0.3nm급 공정까지 미세화가 예정되어 있어, 더욱 정밀한 광학재료 기술 개발이 지속적으로 필요하게 된다.[2] 반도체공학기술자 전체의 향후 5년간 일자리 전망은 '다소 증가'로, 반도체 소재 분야도 이 성장 흐름을 공유할 것으로 기대된다.[3]
반도체 광학재료 연구개발 직군은 주간 근무를 기본으로 하지만 소재 합성·평가 실험의 특성상 실험 스케줄에 따라 유연한 근무가 필요한 경우가 있다.[4] 삼성전자·SK하이닉스 등 대기업 소재연구 부문은 높은 임금과 우수한 복리후생을 제공하며, 반도체공학기술자 평균 연봉은 약 8,000만 원 수준이다.[5] 소재 전문기업(SK머티리얼즈·솔브레인 등)도 전문 연구직에게 경쟁력 있는 처우를 제공하며, 연구 성과에 따른 특허료 수입과 성과급도 있다.[6]
반도체광학재료개발연구원은 사진현상·식각·박막·연마 등 공정연구원들과 공동으로 재료개발 목표를 수립하고, 국내외 소재 제조업체·학회와 협력하여 최적 재료를 발굴한다.[7] 한국화학연구원·국가나노기술정책센터(NNPC) 등 공공 연구기관과도 협업하며, 국제 학회(SPIE Photomask Technology 등)에서 연구 결과를 발표하는 기회가 많다.[8]
반도체 광학재료는 포토레지스트(PR), EUV 펠리클, ArF 포토마스크 재료 등 반도체 패턴 형성에 직접 사용되는 핵심 소재로, 공정 미세화가 진행될수록 재료 성능 요구 수준이 급격히 높아진다.[9] EUV 포토레지스트는 화학증폭형(CA) 유기 포토레지스트로 고분자·PAG·쿼처로 구성되며, 수nm 수준의 해상도를 구현하기 위해 지속적인 소재 개발이 필수적이다.[10] 일본이 EUV 포토레지스트 시장을 주도하고 있어, 국내 기업과 연구기관이 국산화 대안을 개발하는 것이 반도체 공급망 안보 측면에서 중요한 과제로 부각되고 있다.[11]
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