반도체 품질수율 및 생산성 향상을 위해 소자제조 및 장비기술자와 협의하여 식각 공정기술을 평가·개선·인증·유지 관리한다.
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AI 반도체·HBM·3D NAND 등 첨단 반도체 수요 증가로 식각공정 기술자의 고용은 향후 5년간 다소 증가할 것으로 전망된다.[1] 삼성전자 평택·SK하이닉스 청주 등 신규 팹 가동과 함께 식각 공정 인력 수요가 늘고 있으며, 국내 반도체 장비 업체(APTC 등)도 식각장비 국산화를 추진하며 인력을 채용하고 있다.[2] 글로벌 반도체 시장이 2030년 1조 달러 이상으로 성장할 것으로 예상되면서 공정기술 전문 인력의 장기적 수요는 안정적이다.[3]
반도체 팹(클린룸)에서 방진복을 착용하고 근무하며, 플라즈마 발생 장비와 화학 가스를 다루므로 가스 안전·방폭 교육을 필수로 이수해야 한다.[4] 삼성전자·SK하이닉스 기준 주 40시간 근무가 원칙이나, 신공정 도입 시기에 야근이 발생한다. 신입 연봉은 약 5,000만 원에서 시작하며 성과급 포함 시 6,500만 원 이상이 가능하다.[5]
식각공정 기술자는 반도체 미세화 기술의 최전선에서 일하며, 무어의 법칙을 구현하는 핵심 공정을 담당하는 데 대한 직업적 자부심이 크다.[6] 공정기술자와 장비기술자, 설계연구원 등 다양한 직군과 협력하여 제품 수율과 품질을 개선하는 과정에서 폭넓은 기술 경험을 쌓을 수 있다.[7]
반도체 식각공정은 1970년대 습식식각에서 건식식각으로 전환되었으며, 현재는 전 세계 칩 제조 공장의 75% 이상이 고정밀 건식식각(Dry Etching)을 채택하고 있다.[8] 건식식각의 핵심 방식인 RIE(반응성 이온 식각)는 플라즈마의 양이온(물리적 식각)과 라디칼(화학적 식각)을 결합해 식각률을 단독 방식 대비 약 10배 이상 높인다.[9] 삼성전자와 SK하이닉스가 장비에 투자하는 금액 중 약 40%가 식각 장비 구매에 쓰일 정도로, 식각공정은 반도체 제조에서 중요한 비중을 차지한다.[10] D램은 높은 캐패시터 구조, NAND는 3D 적층으로 인해 종횡비(aspect ratio) 달성이 필수적이며, 2D 공정에서는 100:1 이상의 종횡비가 요구되기도 한다.[11] 최신 ALE(원자층 식각) 기술은 자체제한적(self-limiting) 반응을 통해 원자층 단위로 박막을 제거할 수 있어 3nm 이하 공정에서 주목받고 있다.[12]
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